Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор IGBT SGW50N60HS
600V; Ic = 100A(25C); Ic = 50A(100C); 416W; Diode
Транзистор IGBT SGW50N60HS
600V; Ic = 100A(25C); Ic = 50A(100C); 416W; Diode
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd | 416 Ватт |
| Напруга затвор-емітер Vge | 20 Вольт |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 Вольт |
| Номінальна напруга насичення колектор-емітер Vce(on) | 2,8 Вольт |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic | 50 Ампер |
| Номінальний струм колектора (25°C) Ic | 100 Ампер |
| Бренд | Infineon |
| Структура | NPT IGBT |
Додаткова інформація
