Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор IGBT FGA25N120ANTD
IGBT; NPT Trench; 1200V; 25A; Diode
Транзистор IGBT FGA25N120ANTD
IGBT; NPT Trench; 1200V; 25A; Diode
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd | 312 Ватт |
| Напруга затвор-емітер Vge | 20 Вольт |
| Напруга колектор-емітер Vces | 1200 Вольт |
| Номінальний час відновлення діода (25°C) trr | 235 Наносекунд |
| Номінальна напруга насичення колектор-емітер Vce(on) | 2 Вольт |
| Номінальний струм діода (100°C) If | 25 Ампер |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic | 25 Ампер |
| Номінальний струм колектора (25°C) Ic | 50 Ампер |
| Бренд | Fairchild (ONS) |
| Структура | NPT IGBT+діод |
Додаткова інформація
