Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRF7105
N-ch P-ch; 2W; N: 25V; 3.5A; 0.1 Ohm; P: 25V; 2.3A; 0.25 Ohm
на складе 24 шт.
в магазине 11 шт.
код: A118050
IR
SO-8
IR
SO-8
Транзистор полевой IRF7105
N-ch P-ch; 2W; N: 25V; 3.5A; 0.1 Ohm; P: 25V; 2.3A; 0.25 Ohm
26 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | N45 P45 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | N7 P12 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | N20 P20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | N25 P25 Вольт |
| Полярність | N та P-канал |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | N1-3 P1-3 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | N3,5 P2,3 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | N0,1 P0,25 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
IRF7105 — комплементарная сборка из N-канального и P-канального MOSFET-транзисторов в одном корпусе SO-8 для поверхностного монтажа. Предназначена для компактных схем управления нагрузкой, Н-мостов и преобразователей напряжения.
Технические характеристики
- Тип: комплементарная MOSFET-сборка, N-канал + P-канал
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 25 В для N-канала, -25 В для P-канала
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 3,5 А для N-канала, -2,3 А для P-канала при 25°C
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 14 А для N-канала, -10 А для P-канала
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)) при VGS = 10 В: 83 мОм для N-канала, 160 мОм для P-канала
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)) при VGS = 4,5 В: 140 мОм для N-канала, 300 мОм для P-канала
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Общий заряд затвора (Qg): 9,4 нКл для N-канала, 11 нКл для P-канала
- Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Диапазон рабочих температур: -55...+150°C
- Корпус: SO-8 (SOIC-8)
- Количество выводов: 8
- Тип монтажа: поверхностный (SMD)
Функционал
- Коммутация нагрузок с помощью N-канального и P-канального MOSFET
- Работа в схемах Н-мостов
- Работа в преобразователях напряжения
- Управление нагрузкой в компактных электронных схемах
Распиновка
- 1 — Source 1: исток P-канала
- 2 — Gate 1: затвор P-канала
- 3 — Source 2: исток N-канала
- 4 — Gate 2: затвор N-канала
- 5 — Drain 2: сток N-канала
- 6 — Drain 2: сток N-канала
- 7 — Drain 1: сток P-канала
- 8 — Drain 1: сток P-канала
Нумерация выводов ведется от ключа или точки на корпусе против часовой стрелки.
