Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRF7303
N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm сдвоенный
на складе 35 шт.
в магазине 31 шт.
код: A118063
IR
SO-8
IR
SO-8
Транзистор полевой IRF7303
N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm сдвоенный
28.5 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 22 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 6,8 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 30 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 1 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 4,9 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,05 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
IRF7303 — сдвоенный N-канальный MOSFET-транзистор в компактном SMD-корпусе SO-8, содержащий два независимых транзистора и предназначенный для коммутации нагрузок в электронных схемах.
Распиновка корпуса SO-8: вывод 1 — Source 1 (исток первого транзистора); 2 — Gate 1 (затвор первого транзистора); 3 — Source 2 (исток второго транзистора); 4 — Gate 2 (затвор второго транзистора); 5, 6 — Drain 2 (сток второго транзистора); 7, 8 — Drain 1 (сток первого транзистора).
Технические характеристики
- Тип: сдвоенный N-канальный MOSFET
- Количество транзисторов в корпусе: 2
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 30 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 4,9 А при температуре 25 °C; 3,9 А при 70 °C
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 20 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,05 Ом при VGS = 10 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2 Вт
- Диапазон рабочих температур: -55...+150 °C
- Корпус: SO-8, SMD
Функционал
- Независимая коммутация двух электрических нагрузок
- Импульсное переключение электрических цепей
- Использование двух MOSFET-транзисторов в одном корпусе
