Транзистор полевой IRF7201

N; 30V; 8.5A; 1.5W

Транзистор полевой IRF7201
на складе 10 шт.
в магазине 48 шт.
код: A118065
HXY
SO-8

Транзистор полевой IRF7201

N; 30V; 8.5A; 1.5W


15.5 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)21 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)7 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусSO-8
Максимальна робоча температура150 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds30 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id7,3 Ампер
БрендIR
Розсіювана потужність (25°C) Pd2,5 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,03 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

IRF7201 — N-канальный MOSFET-транзистор с низким сопротивлением открытого канала, предназначенный для поверхностного монтажа и коммутации в низковольтных цепях питания.

Распиновка корпуса SO-8: выводы 1, 2, 3 — Source (исток); вывод 4 — Gate (затвор); выводы 5, 6, 7, 8 — Drain (сток).

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
  • Максимальный ток стока (ID): 7,3 А при температуре 25 °C
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,03 Ом при VGS = 10 В
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 1 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2,5 Вт
  • Корпус: SO-8 (SOIC-8), SMD

Функционал

  • Коммутация низковольтных нагрузок
  • Импульсное переключение электрических цепей
  • Управление питанием в низковольтных схемах