Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRF640NS
N; 200V; 18A; 150W; 0.15 Ohm
на складе 77 шт.
в магазине 17 шт.
код: A118070
Minos
TO-263
Minos
TO-263
Транзистор полевой IRF640NS
N; 200V; 18A; 150W; 0.15 Ohm
33 грн
код:
Быстрая доставка
Отправка заказов сделаных до 12:00 в тот же день. Мы ценим ваше время.
Собственный склад
Более 20000 наименований товаров на собственном складе, гарантирует наличие и скорость отправки вашего заказа.
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
IRF640NS — мощный N-канальный MOSFET-транзистор технологии HEXFET в корпусе D2Pak (TO-263), предназначенный для поверхностного монтажа и коммутации силовых нагрузок. Имеет низкое сопротивление открытого канала и металлическую теплоотводящую площадку.
Распиновка при расположении транзистора стороной с маркировкой к себе: 1 — Gate (затвор), управляющий вывод; 2 — Drain (сток), также электрически соединен с широкой металлической теплоотводящей площадкой корпуса; 3 — Source (исток).
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDSS): 200 В
- Максимальный ток стока (ID): 18 А при температуре корпуса 25 °C
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,15 Ом при VGS = 10 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 2–4 В
- Заряд затвора (Qg): около 64–83 нКл
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 150 Вт при соответствующем теплоотводе
- Корпус: D2Pak (TO-263), SMD
Функционал
- Коммутация силовых нагрузок
- Импульсное переключение электрических цепей
- Работа в силовых схемах питания
