Транзистор полевой APM4953KC-TR

Двойной P-Ch, режим усиления, MOSFET

Транзистор полевой APM4953KC-TR
на складе 33 шт.
в магазине 4 шт.
код: A118107
SO-8

Транзистор полевой APM4953KC-TR

Двойной P-Ch, режим усиления, MOSFET


13.5 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)22 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)10 Наносекунд
Кількість каналів2
КорпусSO-8
Максимальна робоча температура150 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs25 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds30 Вольт
ПолярністьP-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1-2 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id4,9 Ампер
Розсіювана потужність (25°C) Pd2,5 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,053 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це двойной P-канальный MOSFET, тобто два польові транзистори в одному компактному корпусі SO-8. Він предназначен для коммутации питания, защиты от переполюсовки, управления аккумуляторными линиями и інших низковольтных силових узлов.

Технические характеристики

  • Тип / канал: двойной P-канальный (2× P-MOSFET)
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -30 В для каждого канала
  • Максимальний постійний ток стоку (ID): до -4,9 А на канал (в зависимости от умов охолодження)
  • Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): до -30 А імпульсно
  • Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): порядку 0,053 Ом при VGS=-10 В; залежить від ревізії
  • Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): приблизительно -1…-3 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±25 В
  • Максимальное мощность розсіювання (PD): около 2,5 Вт для корпусу
  • Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): -55…+150 °C
  • Тип корпуса: SO-8

Функционал

  • Комутація електричного навантаження
  • Захист ліній питания від переполюсовки
  • Керування питаниям в акумуляторних узлах

Распиновка

Корпус SO-8, вид сверху, ключ/точка позначає вывод 1: 1. S1 — исток первого P-канала. 2. G1 — затвор первого P-канала. 3. S2 — исток второго P-канала. 4. G2 — затвор второго P-канала. 5. D2 — сток второго P-канала. 6. D2 — сток второго P-канала. 7. D1 — сток первого P-канала. 8. D1 — сток первого P-канала.