Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой AO4606
N и P-ch; 2.0W; N: 30V; 6.9A; 0.028 Ohm; P: 30V; 6A; 0.035 Ohm
на складе 18 шт.
в магазине 72 шт.
код: A118118
AOS/AO
SO-8
AOS/AO
SO-8
Транзистор полевой AO4606
N и P-ch; 2.0W; N: 30V; 6.9A; 0.028 Ohm; P: 30V; 6A; 0.035 Ohm
26 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | N14,5 P17 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | N4,5 P8 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | N20 P20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | N30 P30 Вольт |
| Полярність | N та P-канал |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | N1,2-2,4 P1,3-2,4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | N6 P6,5 Ампер |
| Бренд | AOS |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | N0,042 P0,044 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це комплементарная сборка полевых MOSFET-транзисторов, що містить N- и P-канальный ключ в одному корпусі SO-8. Такі збірки применяются у узлах управления питаниям, DC-DC преобразователях, ключах навантаження, синхронних и напівмостових каскадах, де важливі компактність і мала довжина з’єднань.
Технические характеристики
- Тип / канал: комплементарний N+P MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): N: +30 В; P: -30 В
- Максимальний постійний ток стоку (ID): N: 6 А (у картці 6,9 А); P: -6,5 А (у картці -6 А)
- Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): N: +30 А; P: -30 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): N: до 30 мОм @10 В; P: до 28 мОм @-10 В (актуальний AOS datasheet)
- Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): N: 1,2…2,4 В; P — від’ємна порогова напряжение
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В для обох каналів
- Максимальное мощность розсіювання (PD): 2 Вт на канал/кристал при условиях datasheet
- Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): -55…+150 °C
- Тип корпуса: SO-8
Функционал
- Комутація електричного навантаження
- Робои у ключевых каскадах перетворювачів питания
Распиновка
Корпус SO-8, вид сверху, точка/виїмка определяет вывод 1. За офіційним AOS datasheet: 1. S2 — Source N-канала. 2. G2 — Gate N-канала. 3. S1 — Source P-канала. 4. G1 — Gate P-канала. 5. D1 — Drain P-канала. 6. D1 — Drain P-канала. 7. D2 — Drain N-канала. 8. D2 — Drain N-канала.
