Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRF5850
P; 20V; 2.2A; 0.96W; 0.135 Ohm двойной
на складе 2 шт.
в магазине 2 шт.
код: A118119
IR
TSOP6
IR
TSOP6
Транзистор полевой IRF5850
P; 20V; 2.2A; 0.96W; 0.135 Ohm двойной
30.5 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 31 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 8,3 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | TSOP-6 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 12 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 20 Вольт |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 0,45-1,2 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 2,2 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 0,96 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,135 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це двойной P-канальный MOSFET, тобто два польові транзистори в одному компактному корпусі TSOP-6. Він предназначен для коммутации питания, защиты от переполюсовки, управления аккумуляторными линиями и інших низковольтных силових узлов.
Технические характеристики
- Тип / канал: двойной P-канальный (2× P-MOSFET)
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -20 В
- Максимальний постійний ток стоку (ID): -2,2 А на канал
- Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): -9 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): до 0,135 Ом (умови залежать від datasheet)
- Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): низьковольтний P-MOSFET; точний діапазон див. datasheet ревізії
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±12 В
- Максимальное мощность розсіювання (PD): 0,96 Вт
- Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): -55…+150 °C
- Тип корпуса: TSOP-6
Функционал
- Комутація електричного навантаження
- Захист ліній питания від переполюсовки
- Керування питаниям в акумуляторних узлах
Распиновка
Корпус TSOP-6, два P-канальні MOSFET. Нумерацію слід орієнтувати за точкою/ключем корпусу. Для IRF5850 используется роздільна схема двох каналів; перед розводкою плати обов’язково звіряйте графічний pinout саме з datasheet конкретної ревізії IRF5850, оскільки помилка місцями S/G/D може пошкодити вузол.
