Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRF9952
N P ch; 2W; N: 30V; 3.5A; 0.1 Ohm; P: 30V; 2.3A; 0.25 Ohm
на складе 7 шт.
в магазине 41 шт.
код: A118153
IR
SO-8
IR
SO-8
Транзистор полевой IRF9952
N P ch; 2W; N: 30V; 3.5A; 0.1 Ohm; P: 30V; 2.3A; 0.25 Ohm
18 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | N13 P20 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | N6,2 P9,7 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | N20 P20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | N30 P30 Вольт |
| Полярність | N та P-канал |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | N1 P1 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | N3,5 P2,3 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | N0,1 P0,25 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це комплементарная сборка полевых MOSFET-транзисторов, що містить N- и P-канальный ключ в одному корпусі SO-8. Такі збірки применяются у узлах управления питаниям, DC-DC преобразователях, ключах навантаження, синхронних и напівмостових каскадах, де важливі компактність і мала довжина з’єднань.
Технические характеристики
- Тип / канал: комплементарний N+P MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): N: +30 В; P: -30 В
- Максимальний постійний ток стоку (ID): N: +3,5 А; P: -2,3 А
- Максимальний імпульсний ток стоку (IDM): орієнтовно N: +14 А; P: -9,2 А короткими імпульсами
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): N: до 0,10 Ом; P: до 0,25 Ом
- Порогова напряжение затвор-исток (VGS(th)): N — додатна, P — від’ємна; точні межі див. datasheet
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальное мощность розсіювання (PD): около 2 Вт для корпусу
- Діапазон / максимальное температура переходу (TJ): до +150 °C
- Тип корпуса: SO-8
Функционал
- Комутація електричного навантаження
- Робои у ключевых каскадах перетворювачів питания
Распиновка
Корпус SO-8, два MOSFET. Типова для цієї серії схема виводів: 1. S1 — исток канала 1. 2. G1 — затвор канала 1. 3. S2 — исток канала 2. 4. G2 — затвор канала 2. 5. D2 — сток канала 2. 6. D2 — сток канала 2. 7. D1 — сток канала 1. 8. D1 — сток канала 1. Перед трасуванням PCB звіряйте, який саме номер канала є N-, а який P-каналом, за схемою в datasheet конкретної мікросхеми.
