Транзистор полевой IRFR5305

P-ch; 55V; 31A; 110W; 0.065 Ohm

Транзистор полевой IRFR5305
на складе 0 шт.
в магазине 6 шт.
код: A118159
IR
D-Pack

Транзистор полевой IRFR5305

P-ch; 55V; 31A; 110W; 0.065 Ohm


26 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)39 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)14 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусD-PAK
Максимальна робоча температура175 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds55 Вольт
ПолярністьP-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)2-4 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id31 Ампер
БрендIR
Розсіювана потужність (25°C) Pd110 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,065 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

  • Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: D-Pack
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 55 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 31 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 110 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.065 Ом

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Управление силовыми линиями у BMS
  • Коммутация нагрузки
  • Управление линиями питания
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус D-Pack. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).