Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRFL9110
P-ch; 100V; 1.1A; 3.1W; 1.2 Ohm
на складе 31 шт.
в магазине 12 шт.
код: A118166
IR
SOT-223
IR
SOT-223
Транзистор полевой IRFL9110
P-ch; 100V; 1.1A; 3.1W; 1.2 Ohm
21 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 15 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 10 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | SOT-223 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 100 Вольт |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 1,1 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 3,1 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 1,2 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технические характеристики
- Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: SOT-223
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 100 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 1.1 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 3.1 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 1.2 Ом
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в інверторах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус SOT-223. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).
