Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRFR6215
P-ch; 150V; 13A; 110W; 0.295 Ohm
на складе 7 шт.
в магазине 11 шт.
код: A118180
IR
D-PAK
IR
D-PAK
Транзистор полевой IRFR6215
P-ch; 150V; 13A; 110W; 0.295 Ohm
35.5 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 53 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 14 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | D-PAK |
| Максимальна робоча температура | 175 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 150 Вольт |
| Полярність | P-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 13 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 110 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,295 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технические характеристики
- Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: D-PAK
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 150 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 13 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 110 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.295 Ом
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в інверторах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус D-PAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).
