Транзистор полевой FDS3570

N-ch; 80V; 9A; 2.5W; 0.019 Ohm; 32ns; Logic Level

Транзистор полевой FDS3570
на складе 0 шт.
в магазине 1 шт.
код: A118182
FSC
SO-8

Транзистор полевой FDS3570

N-ch; 80V; 9A; 2.5W; 0.019 Ohm; 32ns; Logic Level


16 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)60 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)20 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусSO-8
Максимальна робоча температура150 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds80 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)2-4 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id9 Ампер
БрендFairchild
Розсіювана потужність (25°C) Pd2,5 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,023 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: SO-8
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 80 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 9 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 2.5 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.019 Ом
  • Особенности: Logic Level / керування зниженою напругою затвора (якщо це підтверджує datasheet конкретної ревізії)

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Управление силовыми линиями у BMS
  • Коммутация нагрузки
  • Управление линиями питания
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET. Типове розташування силових контактів: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Перед заміною або трасуванням PCB бажано звірити datasheet конкретної ревізії.