Транзистор полевой IRLBD59N04E

N-ch; 40V; 59A; 130W; 0.018 Ohm c темп. датчиком

на складе 22 шт.
в магазине 25 шт.
код: A118197
IR
D2-Pack-4

Транзистор полевой IRLBD59N04E

N-ch; 40V; 59A; 130W; 0.018 Ohm c темп. датчиком


46.5 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)33 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)7.8 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусD2-PAK-5
Максимальна робоча температура175 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs10 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds40 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1-2 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id59 Ампер
БрендIR
Розсіювана потужність (25°C) Pd130 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,018 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: D2-Pack-4
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 40 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 59 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 130 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.018 Ом
  • Особенности: Logic Level / керування зниженою напругою затвора (якщо це підтверджує datasheet конкретної ревізії); вбудований температурний датчик
  • VDS: 40 В
  • ID: 59 А (розрахунково; package limitation в datasheet нижча)
  • IDM: 230 А
  • RDS(on): max 18 мОм @10 В
  • VGS(th): 1…2 В
  • TJ: -55…+175 °C
  • Вбудований температурний датчик на двох окремих виводах T1/T2

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Управление силовыми линиями у BMS
  • Коммутация нагрузки
  • Управление линиями питания
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус 5-lead D2PAK (SMD-220): 1. G — Gate 2. T1 — анод температурного датчика 3. D — Drain 4. T2 — катод температурного датчика 5. S — Source Велика тепловая площадка пов'язана зі стоком Drain.