Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRFU320
N-ch; 400V; 3.1A; 42W; 1.8 Ohm
на складе 2 шт.
в магазине 9 шт.
код: A118212
IR
I-Pak
IR
I-Pak
Транзистор полевой IRFU320
N-ch; 400V; 3.1A; 42W; 1.8 Ohm
25 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 30 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 10 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | I-PAK |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 400 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 3,1 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 42 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 1,8 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: I-PAK
- Монтаж: THT (выводной монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 400 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 3.1 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 42 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 1.8 Ом
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в інверторах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус I-PAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).
