Транзистор полевой IPLU300N04S4-R8 (4N04R8)

N-ch; 40 В, 300 А, Rds(on) ~0.8 мΩ

Транзистор полевой IPLU300N04S4-R8 (4N04R8)

N-ch; 40 В, 300 А, Rds(on) ~0.8 мΩ


38 грн
код:

Быстрая доставка

Отправка заказов сделаных до 12:00 в тот же день. Мы ценим ваше время.

Собственный склад

Более 20000 наименований товаров на собственном складе, гарантирует наличие и скорость отправки вашего заказа.

Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це N-канальный OptiMOS MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC преобразователях, BMS, автомобильной электронике, драйверах двигателей, UPS і ключах нагрузки.

Технические характеристики

  • Тип / канал: N-канальный OptiMOS MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 40 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 300 А
  • Максимальный импульсный ток (IDM): 1200 А
  • Сопротивление открытого канала RDS(on): ≈0,77…0,8 мОм @10 В
  • Пороговое напряжение VGS(th): 2…4 В
  • Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
  • Рассеиваемая мощность (PD): 429 Вт
  • Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+175 °C
  • Полный заряд затвора (Qg): typ ≈221 нКл; max ≈287 нКл
  • Корпус: H-PSOF-8-1

Функционал

  • DC-DC преобразователях
  • BMS
  • автомобильной электронике
  • драйверах двигателей
  • UPS
  • ключах нагрузки

Распиновка

Корпус H-PSOF-8-1 / TOLL-type: 1. Gate (G) 2–8. Source (S) — параллельные силовые контакты Велика нижня/задня силова площадка — Drain (D). Таке розташування зменшує паразитні індуктивності та опір корпусу.