Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRFD9110
P-ch; 100V; 0,7A; 1,3W; 1,2 Ohm
на складе 40 шт.
в магазине 10 шт.
код: A118224
China
HD-1
China
HD-1
Транзистор полевой IRFD9110
P-ch; 100V; 0,7A; 1,3W; 1,2 Ohm
39 грн
код:
Быстрая доставка
Отправка заказов сделаных до 12:00 в тот же день. Мы ценим ваше время.
Собственный склад
Более 20000 наименований товаров на собственном складе, гарантирует наличие и скорость отправки вашего заказа.
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, импульсные источники питания, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технические характеристики
- Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: HD-1
- Монтаж: THT (выводной монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 100 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 0,7 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 1,3 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 1,2 Ом
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Работа в інверторах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус HD-1 / HVMDIP (4 виводи). У IRFD-серії фізично виведені Gate (G), Source (S) та два электрически объединенные Drain (D) для зменшення опору й тепловідведення. Орієнтацію номерів потрібно звіряти за ключем корпусу в datasheet конкретної моделі.
