Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой FQD10N65SE
N-Ch 650V 10A 45W 900mΩ
на складе 15 шт.
в магазине 20 шт.
код: A118228
KTP
TO-252
KTP
TO-252
Транзистор полевой FQD10N65SE
N-Ch 650V 10A 45W 900mΩ
32.5 грн
код:
Быстрая доставка
Отправка заказов сделаных до 12:00 в тот же день. Мы ценим ваше время.
Собственный склад
Более 20000 наименований товаров на собственном складе, гарантирует наличие и скорость отправки вашего заказа.
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: импульсные источники питания (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: TO-252
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 650 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 10 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 45 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 900 мОм
Функционал
- Работа в інверторах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Работа в вузлах PFC
- Работа в електронних баластах
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус TO-252. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).
