Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой SiHF15N60E
N-ch; 600V; 15A; 0.28Ohm
Транзистор полевой SiHF15N60E
N-ch; 600V; 15A; 0.28Ohm
77.5 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 35 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 17 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | TO-220F |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 600 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 15 Ампер |
| Бренд | Vishay |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 34 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,28 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це N-канальный високовольтний MOSFET с изолированным затвором, розрахований на високовольтну силову комутацію. Применяется в SMPS, інверторах, PFC, UPS, преобразователях і високовольтних ключових каскадах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный високовольтний MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 600 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 15 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): max 0,28 Ом @10 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±30 В
- Рассеиваемая мощность (PD): ≈34 Вт (ізольований FullPak)
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): ≈39 нКл
- Корпус: TO-220F
Функционал
- SMPS
- інверторах
- PFC
- UPS
- преобразователях
- високовольтних ключових каскадах
Распиновка
Корпус TO-220F / FullPak, вид на маркування, выводы вниз: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Зовнішня задня поверхня електрично ізольована.
