Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой STD1NK80Z
MOSFET N, 800В, 1А, 13 Ом
на складе 38 шт.
в магазине 151 шт.
код: A118258
ST
DPAK
ST
DPAK
Транзистор полевой STD1NK80Z
MOSFET N, 800В, 1А, 13 Ом
21 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 22 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 8 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | D-PAK |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 30 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 800 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 3-4,5 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 1 Ампер |
| Бренд | STM |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 45 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 16 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: импульсные источники питания (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.
Технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: DPAK
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 800 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: 1 А
- Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 800 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 13 Ом
Функционал
- Работа в інверторах
- Работа в імпульсних джерелах живлення
- Работа в вузлах PFC
- Работа в електронних баластах
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус DPAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).
