Транзистор полевой PHB11N06LT

N-Ch 55V; 10.3A; 33W; 0.15 Ohm; LogicLevel

Транзистор полевой PHB11N06LT
на складе 10 шт.
в магазине 6 шт.
код: A118278
NXP (Philips)
D2-PAK

Транзистор полевой PHB11N06LT

N-Ch 55V; 10.3A; 33W; 0.15 Ohm; LogicLevel


16 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)30 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)16 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусD2-PAK
Максимальна робоча температура175 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs15 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds55 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1-2 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id10,5 Ампер
БрендNXP
Розсіювана потужність (25°C) Pd33 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,15 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.

Технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
  • Корпус: D2-Pak
  • Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
  • Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: 55 В
  • Постоянный ток стока (ID), за карткою: 10.3 А
  • Рассеиваемая мощность (PD), за карткою: 33 Вт
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 0.15 Ом
  • Особенности: Logic Level / керування зниженою напругою затвора (якщо це підтверджує datasheet конкретної ревізії)

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
  • Управление силовыми линиями у BMS
  • Коммутация нагрузки
  • Управление линиями питания
  • Силовая или сигнальная коммутация

Распиновка

Корпус D2-Pak. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).