Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой FDD5614P
P-ch -60V -14A 55mΩ
на складе 61 шт.
в магазине 14 шт.
код: A118321
MSKSEMI
TO252
MSKSEMI
TO252
Транзистор полевой FDD5614P
P-ch -60V -14A 55mΩ
22 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 34 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 14 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | D-PAK |
| Максимальна робоча температура | 175 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 60 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 1-3 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 15 Ампер |
| Бренд | Fairchild |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 42 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,185 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.
Технические характеристики
- Тип: P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа
- Корпус: TO252
- Монтаж: SMD (поверхностный монтаж)
- Напряжение сток-исток (VDS), за карткою: -60 В
- Постоянный ток стока (ID), за карткою: -14 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)), за карткою: 55 мОм
Функционал
- Работа в DC-DC перетворювачах
- Управление силовим нагрузким у драйверних схемах
- Управление силовыми линиями у BMS
- Коммутация нагрузки
- Управление линиями питания
- Силовая или сигнальная коммутация
Распиновка
Корпус TO252. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) Велика металлическая/тепловая площадка обычно электрически соединена з Drain (D).
