N-Ch; 25V; 29A; 3,1W; 0,0021 Ohm;
N-Ch; 25V; 29A; 3,1W; 0,0021 Ohm;
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 27 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 9 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | QFN5X6-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 10 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 25 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 0,9-1,4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 29 Ампер |
| Бренд | TI |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 3,1 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,0026 Ом |
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для силової або сигнальної комутації та может использоваться в таких вузлах: низковольтные DC-DC перетворювачі, BMS, автомобильная электроника, драйверы двигателей, ключи нагрузки та системы управления питанием.
Технические характеристики
Функционал
Распиновка
Корпус QFN-8 є низькоіндуктивним силовим SMD-корпусом з кількома паралельними контактами/тепловою площадкою. Його не можна описувати просто як «1-G, 2-D, 3-S». Для монтажу та PCB використовуйте графічний pin/land pattern datasheet саме цієї моделі; силова площадка Drain/Source займає значну частину корпусу.