Транзистор полевой IRL520S

N-ch; 100V; 9,2A; 60W; 0,27 Ohm

Транзистор полевой  IRL520S
на складе 7 шт.
в магазине 8 шт.
код: A118337
IR
D2-PAK

Транзистор полевой IRL520S

N-ch; 100V; 9,2A; 60W; 0,27 Ohm


23.5 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)21 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)9,8 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусD2-PAK
Максимальна робоча температура175 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs10 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds100 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1-2 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id9,2 Ампер
БрендIR
Розсіювана потужність (25°C) Pd60 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,38 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це N-канальный Logic-Level MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.

Технические характеристики

  • Тип / канал: N-канальный Logic-Level MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 100 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 9,2 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,27…0,38 Ом залежно від ревізії/умов VGS
  • Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 1…2 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±10 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 60 Вт
  • Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+175 °C
  • Быстродействие / время переключения: td(on) ≈9,8 нс; td(off) ≈21 нс
  • Корпус: D2-PAK

Функционал

  • Работа в DC-DC преобразователях
  • Работа в автомобильной электронике
  • Работа в BMS
  • Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
  • Коммутация электрической нагрузки

Распиновка

Корпус D2-PAK, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Большая тепловая площадка/фланец также электрически соединена з Drain (D).