Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRF7331
Dual N-ch; 20V; 12V; 7A; 2W; 0,045 Ohm
на складе 41 шт.
в магазине 43 шт.
код: A118338
IR
SO-8
IR
SO-8
Транзистор полевой IRF7331
Dual N-ch; 20V; 12V; 7A; 2W; 0,045 Ohm
21 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 110 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 7,6 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 12 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 20 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 0,6-1,2 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 7 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,045 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це двойной N-канальный MOSFET (2×N), що містить два силові ключі в одному корпусі. Таке виконання використовується в DC-DC преобразователях, вузлах керування живленням, напівмостах, BMS та компактних імпульсних схемах.
Технические характеристики
- Тип / канал: двойной N-канальный MOSFET (2×N)
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 20 В на канал
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 7 А
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): ≈28 А на канал
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max ≈30 мОм @4,5 В; картка вказує 45 мОм
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 0,6…1,2 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±12 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈7,6 нс; td(off) ≈110 нс
- Корпус: SO-8
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в BMS
- Коммутация электрической нагрузки
- Работа в полумостовых схемах
Распиновка
Корпус SO-8, вид сверху, ключ/точка визначає вивід 1: 1. S1 2. G1 3. S2 4. G2 5. D2 6. D2 7. D1 8. D1. У корпусі знаходяться два незалежні N-канальні MOSFET.
