Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой NCE6008AS
N-Ch; 60V; 8A; 2,1W; 15,6 mOhm
на складе 33 шт.
в магазине 23 шт.
код: A118341
NCE
SO-8
NCE
SO-8
Транзистор полевой NCE6008AS
N-Ch; 60V; 8A; 2,1W; 15,6 mOhm
19.5 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 29 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 7 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 60 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 1-2,2 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 8 Ампер |
| Бренд | NCE |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2,1 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,028 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 8 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): typ 15,6 мОм / max 20 мОм @10 В; max 28 мОм @4,5 В
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 1…2,2 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2,1 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): ≈38,5 нКл
- Быстродействие / время переключения: td(on) ≈7 нс; td(off) ≈29 нс
- Корпус: SO-8
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в автомобильной электронике
- Работа в BMS
- Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
- Коммутация электрической нагрузки
Распиновка
Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET, вид сверху: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D).
