Транзистор полевой QM3058M

N-Ch; 30V; 140A; 0,003 Ohm

Транзистор полевой QM3058M
на складе 4 шт.
в магазине 6 шт.
код: A118344
UBIQ
QFN-8

Транзистор полевой QM3058M

N-Ch; 30V; 140A; 0,003 Ohm


52.5 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)104 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)21 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусDFN5X6-8
Максимальна робоча температура150 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds30 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1,2-2,5 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id140 Ампер
БрендUbio
Розсіювана потужність (25°C) Pd90 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,003 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.

Технические характеристики

  • Тип / канал: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 140 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 3 мОм @10 В
  • Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 1,2…2,5 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 90 Вт
  • Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
  • Быстродействие / время переключения: td(on) ≈21 нс; td(off) ≈104 нс
  • Корпус: QFN-8

Функционал

  • Работа в DC-DC преобразователях
  • Работа в автомобильной электронике
  • Работа в BMS
  • Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
  • Коммутация электрической нагрузки

Распиновка

Корпус QFN-8, вид сверху по нумерации корпуса: 1. Source (S) 2. Source (S) 3. Source (S) 4. Gate (G) 5. Drain (D) 6. Drain (D) 7. Drain (D) 8. Drain (D). Большая нижняя тепловая площадка, якщо присутня у конкретному DFN/QFN виконанні, відноситься до силового вузла Drain.