Транзистор полевой AON6407

P-ch; 30V; 85A; 0.0045 Ohm

Транзистор полевой AON6407
на складе 3 шт.
в магазине 21 шт.
код: A118360
MSKSEMI
DFN-8

Транзистор полевой AON6407

P-ch; 30V; 85A; 0.0045 Ohm


44 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)94 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)14 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусDFN5X6-8
Максимальна робоча температура150 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs25 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds30 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1,6-2,6 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id85 Ампер
БрендMSKSEMI
Розсіювана потужність (25°C) Pd83 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,006 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется переважно для верхней коммутации питания, защиты от переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силовых ключей.

Технические характеристики

  • Тип / канал: P-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -30 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): -85 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 4,5 мОм @-10 В; 6 мОм @-6 В
  • Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): -1,6…-2,6 В (typ -2,1 В)
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±25 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 83 Вт
  • Рабочая / максимальная температура перехода: до +150 °C
  • Полный заряд затвора (Qg): 75 нКл @-10 В
  • Быстродействие / время переключения: td(on) 14 нс; td(off) 94 нс
  • Корпус: DFN-8

Функционал

  • Работа в DC-DC преобразователях
  • Коммутация электрической нагрузки
  • Защита линий питания від переполюсовки
  • Верхняя комутація живлення

Распиновка

Корпус DFN-8, вид сверху по нумерации корпуса: 1. Source (S) 2. Source (S) 3. Source (S) 4. Gate (G) 5. Drain (D) 6. Drain (D) 7. Drain (D) 8. Drain (D). Большая нижняя тепловая площадка, якщо присутня у конкретному DFN/QFN виконанні, відноситься до силового вузла Drain.