Транзистор полевой OSPF7N65

N-ch; 650V; 7A; 142W;

Транзистор полевой OSPF7N65
на складе 47 шт.
в магазине 42 шт.
код: A118373
Osen
TO-220F

Транзистор полевой OSPF7N65

N-ch; 650V; 7A; 142W;


26 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)160 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)80 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусTO-220F
Максимальна робоча температура150 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs30 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds650 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)2-4 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id7 Ампер
БрендOSEN
Розсіювана потужність (25°C) Pd142 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)1,35 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Транзистор предназначен для швидкої високовольтної комутації в импульсных источниках питания (SMPS), інверторах, PFC-вузлах, преобразователях та інших силовых каскадах.

Технические характеристики

  • Тип / канал: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 650 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 7 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): ≈1,35 Ом
  • Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2…4 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±30 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 142 Вт у картці
  • Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
  • Быстродействие / время переключения: td(on) ≈80 нс; td(off) ≈160 нс
  • Корпус: TO-220F

Функционал

  • Работа в інверторах
  • Работа в вузлах PFC

Распиновка

Корпус TO-220F (FullPak), дивимося на сторону з маркуванням, выводы вниз: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Зовнішня задня поверхня корпусу електрично ізольована.