Транзистор полевой IRLR8743

N-ch; 30V;160A; 135W;

Транзистор полевой IRLR8743
на складе 0 шт.
в магазине 5 шт.
код: A118374
IR
D-PAK

Транзистор полевой IRLR8743

N-ch; 30V;160A; 135W;


57 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)21 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)19 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусD-PAK
Максимальна робоча температура175 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds30 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1,35-2,35 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id160 Ампер
БрендIR
Розсіювана потужність (25°C) Pd135 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,0031 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це N-канальный Logic-Level MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.

Технические характеристики

  • Тип / канал: N-канальный Logic-Level MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 160 А
  • Максимальный импульсный ток стока (IDM): 640 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 3,1 мОм @10 В; 3,9 мОм @4,5 В
  • Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 1,35…2,35 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 135 Вт
  • Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+175 °C
  • Быстродействие / время переключения: td(on) ≈19 нс; td(off) ≈21 нс
  • Корпус: D-PAK

Функционал

  • Работа в DC-DC преобразователях
  • Работа в автомобильной электронике
  • Работа в BMS
  • Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
  • Коммутация электрической нагрузки

Распиновка

Корпус D-PAK, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Большая тепловая площадка/фланец также электрически соединена з Drain (D).