Транзистор полевой AON6504

(N-Ch) 30V; 85A; 83W; 0,0021Ohm

Транзистор полевой AON6504
на складе 46 шт.
в магазине 50 шт.
код: A118391
AO
DFN5X6

Транзистор полевой AON6504

(N-Ch) 30V; 85A; 83W; 0,0021Ohm


51.5 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)33 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)11 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусDFN5X6-8
Максимальна робоча температура150 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds30 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1,3-2,1 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id85 Ампер
БрендAOS
Розсіювана потужність (25°C) Pd83 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,0032 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це N-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.

Технические характеристики

  • Тип / канал: N-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 85 А
  • Максимальный импульсный ток стока (IDM): ≈322 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 2,1 мОм @10 В; 3,2 мОм @4,5 В
  • Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 1,3…2,1 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 83 Вт
  • Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
  • Быстродействие / время переключения: td(on) ≈11 нс; td(off) ≈33 нс
  • Корпус: DFN5X6

Функционал

  • Работа в DC-DC преобразователях
  • Работа в автомобильной электронике
  • Работа в BMS
  • Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
  • Коммутация электрической нагрузки

Распиновка

Корпус DFN5X6, вид сверху по нумерации корпуса: 1. Source (S) 2. Source (S) 3. Source (S) 4. Gate (G) 5. Drain (D) 6. Drain (D) 7. Drain (D) 8. Drain (D). Большая нижняя тепловая площадка, якщо присутня у конкретному DFN/QFN виконанні, відноситься до силового вузла Drain.