Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRF5305
(P-Ch) 60V, 35A, 40mΩ
на складе 75 шт.
в магазине 16 шт.
код: A118394
JSMSEMI
TO-220AB
JSMSEMI
TO-220AB
Транзистор полевой IRF5305
(P-Ch) 60V, 35A, 40mΩ
35.5 грн
код:
Быстрая доставка
Отправка заказов сделаных до 12:00 в тот же день. Мы ценим ваше время.
Собственный склад
Более 20000 наименований товаров на собственном складе, гарантирует наличие и скорость отправки вашего заказа.
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це P-канальный MOSFET, JSMSEMI с изолированным затвором обогащенного типа. Используется переважно для верхней коммутации питания, защиты от переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силовых ключей.
Технические характеристики
- Тип / канал: P-канальный MOSFET, JSMSEMI
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): -30…-35 А для TO-220 версії JSM
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): ≈31…40 мОм @-10 В
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): typ ≈-2,5 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Рабочая / максимальная температура перехода: до +150 °C
- Корпус: TO-220AB
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Коммутация электрической нагрузки
- Защита линий питания від переполюсовки
- Верхняя комутація живлення
Распиновка
Корпус TO-220AB, если смотреть на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток). У неізольованому корпусі металлическая задняя пластина/фланец также соединена з Drain (D).
