Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRFR4105Z
(N-Ch) 60V; 35A; 100W; 0,025Ohm
на складе 102 шт.
в магазине 7 шт.
код: A118402
VBsemi
D-Pak
VBsemi
D-Pak
Транзистор полевой IRFR4105Z
(N-Ch) 60V; 35A; 100W; 0,025Ohm
33.5 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 45 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 15 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | D-Pak |
| Максимальна робоча температура | 175 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 35 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 1-3 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 35 Ампер |
| Бренд | VBsemi |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 100 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,025 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це N-канальный MOSFET, VBsemi с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET, VBsemi
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 45 А @25°C; 35 А @100°C
- Максимальный импульсный ток стока (IDM): 100 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 25 мОм @10 В; ≈30 мОм @4,5 В
- Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 1…3 В (typ ≈2 В)
- Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 100 Вт
- Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+175 °C
- Полный заряд затвора (Qg): ≈17 нКл
- Корпус: D-PAK
Функционал
- Работа в DC-DC преобразователях
- Работа в автомобильной электронике
- Работа в BMS
- Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
- Коммутация электрической нагрузки
Распиновка
Корпус D-PAK, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Большая тепловая площадка/фланец также электрически соединена з Drain (D).
