Транзистор полевой IRF9310

P-Ch, MOSFET, Uds=30V, Id=20A, Rds=4.6mΩ

Транзистор полевой IRF9310
на складе 147 шт.
в магазине 11 шт.
код: A118404
UMW
SO-8

Транзистор полевой IRF9310

P-Ch, MOSFET, Uds=30V, Id=20A, Rds=4.6mΩ


32.5 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)65 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)25 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусSO-8
Максимальна робоча температура150 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds30 Вольт
ПолярністьP-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1,3-2,4 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id20 Ампер
БрендUMW
Розсіювана потужність (25°C) Pd2,5 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,0046 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це P-канальный MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется переважно для верхней коммутации питания, защиты от переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силовых ключей.

Технические характеристики

  • Тип / канал: P-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -30 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): -20 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 4,6 мОм @-10 В; 6,8 мОм @-4,5 В
  • Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): -1,3…-2,4 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 2,5 Вт
  • Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+150 °C
  • Быстродействие / время переключения: td(on) ≈25 нс; td(off) ≈65 нс
  • Корпус: SO-8

Функционал

  • Работа в DC-DC преобразователях
  • Коммутация электрической нагрузки
  • Защита линий питания від переполюсовки
  • Верхняя комутація живлення

Распиновка

Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET, вид сверху: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D).