Транзистор полевой IRF2805S

N-ch 55V; 75A; 0,0047 Ом

Транзистор полевой IRF2805S
на складе 5 шт.
в магазине 10 шт.
код: A118425
VBsemi
D2-Pak

Транзистор полевой IRF2805S

N-ch 55V; 75A; 0,0047 Ом


93 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)125 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)29 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусD2-Pak
Максимальна робоча температура175 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds60 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)2-4 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id210 Ампер
БрендVBsemi
Розсіювана потужність (25°C) Pd375 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,006 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це N-канальный MOSFET, VBsemi-версія с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.

Технические характеристики

  • Тип / канал: N-канальный MOSFET, VBsemi-версія
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 60 В за повною таблицею VBsemi; короткий рядок вказує 55 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): до 210 А у таблиці VBsemi; короткий рядок 75 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): ≈6 мОм у таблиці VBsemi; короткий рядок 4,7 мОм
  • Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 2…4 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±20 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): ≈375 Вт
  • Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+175 °C
  • Быстродействие / время переключения: td(on) ≈29 нс; td(off) ≈125 нс
  • Корпус: D2-PAK

Функционал

  • Работа в DC-DC преобразователях
  • Работа в автомобильной электронике
  • Работа в BMS
  • Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
  • Коммутация электрической нагрузки

Распиновка

Корпус D2-PAK, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Большая тепловая площадка/фланец также электрически соединена з Drain (D).