Транзистор полевой SUD50P04-13L

(P-Ch) 40 V; 50 A; 0,012 Ohm

Транзистор полевой  SUD50P04-13L
на складе 21 шт.
в магазине 14 шт.
код: A118444
VBsemi
D-Pak

Транзистор полевой SUD50P04-13L

(P-Ch) 40 V; 50 A; 0,012 Ohm


75 грн
код:

ПараметрЗначение
Час закриття транзистора td(off)60 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)15 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусD-Pak
Максимальна робоча температура175 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds40 Вольт
ПолярністьP-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1,5-2,5 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id50 Ампер
БрендVBsemi
Розсіювана потужність (25°C) Pd136 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,015 Ом
Способы оплаты

💳 Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.

В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.

Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.


Дополнительная информация

Описание

це P-канальный MOSFET с изолированным затвором. Используется для верхньої комутації живлення, захисту від переполюсовки, DC-DC перетворювачів і силових ключів.

Технические характеристики

  • Тип / канал: P-канальный MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): -40 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): -60 А silicon-limited; корпус обмежує приблизно -50 А
  • Максимальный импульсный ток стока (IDM): -100 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): max 13 мОм @-10 В; 22 мОм @-4,5 В
  • Пороговое напряжение VGS(th): typ ≈-2,1 В
  • Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
  • Рассеиваемая мощность (PD): 93,7 Вт @Tc; 3 Вт @Ta
  • Температурный диапазон / Tj max: -55…+175 °C
  • Полный заряд затвора (Qg): ≈63 нКл
  • Корпус: D-PAK

Функционал

  • Работа в DC-DC перетворювачах
  • Силовая коммутация
  • Верхняя коммутация питания
  • Защита от переполюсовки

Распиновка

Корпус D-PAK: логическая распиновка 1=Gate (G), 2=Drain (D), 3=Source (S). У 2-lead виконанні контакт Drain реалізований переважно великою металевою площадкою/tab; видимі ніжки — Gate і Source.