Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой IRFR210
N-ch; 200V; 2.6A; 25W; 1.5 Ohm
на складе 100 шт.
в магазине 50 шт.
код: A118514
IR
D-Pack
IR
D-Pack
Транзистор полевой IRFR210
N-ch; 200V; 2.6A; 25W; 1.5 Ohm
21 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 14 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 8,2 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | D-PAK |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 200 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 2,6 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 25 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 1,5 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC преобразователях, BMS, автомобильной электронике, драйверах двигателей, UPS і ключах нагрузки.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 200 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): ≈2,6 А за карткою IR
- Сопротивление открытого канала RDS(on): ≈1,5 Ом за карткою
- Пороговое напряжение VGS(th): типово 2…4 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 25 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+150 °C
- Корпус: D-Pack
Функционал
- DC-DC преобразователях
- BMS
- автомобильной электронике
- драйверах двигателей
- UPS
- ключах нагрузки
Распиновка
Корпус D-Pack, стандартний одиночний силовий MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Велика металева/теплова площадка також Drain (D).
