Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой LWT1H022H8
N-канальний, 200А, 100В, Rds(on)=2.5мОм, Vgs=±20В, Pd=227Вт
на складе 10 шт.
в магазине 10 шт.
код: A118555
TO-220AB
TO-220AB
Транзистор полевой LWT1H022H8
N-канальний, 200А, 100В, Rds(on)=2.5мОм, Vgs=±20В, Pd=227Вт
111 грн
код:
Быстрая доставка
Отправка заказов сделаных до 12:00 в тот же день. Мы ценим ваше время.
Собственный склад
Более 20000 наименований товаров на собственном складе, гарантирует наличие и скорость отправки вашего заказа.
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Описание
це N-канальный MOSFET с изолированным затвором. Применяется в DC-DC преобразователях, BMS, автомобильной электронике, драйверах двигателей, UPS і ключах нагрузки.
Технические характеристики
- Тип / канал: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 100 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): 200 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): 2,5 мОм @10 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 227 Вт
- Корпус: TO-220AB
Функционал
- DC-DC преобразователях
- BMS
- автомобильной электронике
- драйверах двигателей
- UPS
- ключах нагрузки
Распиновка
Корпус TO-220AB, вид на сторону с маркировкой, выводы вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Исток) У неізольованому силовому корпусі металлическая задняя пластина/tab также соединена з Drain (D).
