Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор полевой AP4511GM (сборка)
NP-ch; 30V; 7A;
на складе 50 шт.
в магазине 50 шт.
код: A118556
A.Power
SO-8
A.Power
SO-8
Транзистор полевой AP4511GM (сборка)
NP-ch; 30V; 7A;
72 грн
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | N22 P26 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | N12 P10 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | N20 P20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | N35 P35 Вольт |
| Полярність | N та P-канал |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | N1-3 P1-3 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | N7 P6,1 Ампер |
| Бренд | A.Power |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | N0,025 P0,04 Ом |
Способы оплаты
💳
Мы принимаем оплату удобными для вас способами: банковской картой, по безналичному расчету на счет по реквизитам IBAN, а также наличными. Мы всегда рады вашему заказу и стараемся, чтобы оплата была простой и удобной.
В физическом магазине доступны все формы оплаты, в точке выдачи — только банковская карта.
Для заказов через сайт доступна безналичная оплата на счет по реквизитам IBAN. Есть также наложенный платеж.
Дополнительная информация
Описание
це комплементарна MOSFET-збірка N+P в одному корпусі. Збірка придатна для DC-DC перетворювачів, напівмостів, керування живленням і компактних силових ключів.
Технические характеристики
- Тип / канал: комплементарна MOSFET-збірка N+P
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): N: +35 В; P: -35 В
- Максимальный постоянный ток стока (ID): N: +7 А; P: -6,1 А
- Максимальный импульсный ток (IDM): N: +30 А; P: -30 А
- Сопротивление открытого канала RDS(on): N max 25 мОм @10 В; P max 40 мОм @-10 В
- Пороговое напряжение VGS(th): N: 1…3 В; P: -1…-3 В
- Максимальное напряжение Gate-Source (VGS): ±20 В
- Рассеиваемая мощность (PD): 2 Вт
- Температура перехода / рабочий диапазон: -55…+150 °C
- Полный заряд затвора (Qg): N typ 11 нКл (max 18); P typ 10 нКл (max 16)
- Корпус: SO-8
Функционал
Распиновка
Корпус SO-8, комплементарна пара N+P: 1. S1 — Source каналу 1 2. G1 — Gate каналу 1 3. S2 — Source каналу 2 4. G2 — Gate каналу 2 5. D2 — Drain каналу 2 6. D2 — Drain каналу 2 7. D1 — Drain каналу 1 8. D1 — Drain каналу 1 Один канал N-типу, другий P-типу.
