N-ch; 75A 650V
N-ch; 75A 650V
IGBT-транзистор предназначен для применения в силовой электронике и импульсных схемах. Обеспечивает высокие показатели тока и напряжения при компактных размерах. Оснащён встроенным диодом.
• Напряжение коллектор-эмиттер (UCES): 650 В
• Максимальный ток коллектора (Ic): 150 А
• Ток коллектора при 100°C (Ic(100°C)): 75 А
• Максимальная мощность (Pмакс): 539 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UCE(on)): 1.75 В
• Импульсный ток коллектора (Icm): 300 А
• Наличие диода: есть
• Время спада (tof): 168 нс
• Время нарастания (ton): 45 нс
• Полный заряд затвора: 27.4 нКл
• Время восстановления диода (trr): указано без значения
• Коммутация высоких токов и напряжений
• Работа в схемах импульсного питания
• Быстрая коммутация с минимальными потерями