Каталог
Новинки
Поступления
Дешевле
АкцияТранзистор IGBT SGT60N60FD1PN
60 А, 600 В, 321 Вт, с диодом, Field Stop IGBT
на складе 0 шт.
в магазине 1 шт.
код: A120044
SILAN
TO-3P
SILAN
TO-3P
Транзистор IGBT SGT60N60FD1PN
60 А, 600 В, 321 Вт, с диодом, Field Stop IGBT
129 грн.
код:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd | 321 Ватт |
| Напруга затвор-емітер Vge | 20 Вольт |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 Вольт |
| Номінальний час відновлення діода (25°C) trr | 38 Наносекунд |
| Номінальна напруга насичення колектор-емітер Vce(on) | 2,2 Вольт |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic | 60 Ампер |
| Номінальний струм колектора (25°C) Ic | 120 Ампер |
| Бренд | Silan |
| Структура | Field Stop IGBT |
Дополнительная информация
