Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий IRF7389
N P-Ch N-30V; 2,5W; 7,3A; 0,029Ohm; P-30V; 5,3A; 0,058Ohm;
на складі 75 шт.
в магазині 17 шт.
код: A118029
IR
SO-8
IR
SO-8
Транзистор польовий IRF7389
N P-Ch N-30V; 2,5W; 7,3A; 0,029Ohm; P-30V; 5,3A; 0,058Ohm;
26 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | N26 P34 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | N8,1 P13 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | N20 P20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | N30 P30 Вольт |
| Полярність | N та P-канал |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | N1 P1 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | N7,3 P5,3 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2,5 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | N0,029 P0,058 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
IRF7389 — здвоєний MOSFET-транзистор у корпусі SO-8 для поверхневого монтажу, що містить один N-канальний та один P-канальний транзистор. Призначений для комутації навантажень, побудови мостових схем та керування електродвигунами.
Технічні характеристики
- Тип транзистора: здвоєний MOSFET
- Канали: 1×N-канальний, 1×P-канальний
- Максимальна напруга стік-витік (VDS), N-канал: 30 В
- Максимальна напруга стік-витік (VDS), P-канал: -30 В
- Максимальний струм стоку (ID), N-канал: 7,3 А при 25 °C
- Максимальний струм стоку (ID), P-канал: -5,3 А при 25 °C
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), N-канал: 0,029 Ом при VGS = 10 В
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), P-канал: 0,058 Ом при VGS = -10 В
- Порогова напруга затвору (VGS(th)), N-канал: 1–3 В
- Порогова напруга затвору (VGS(th)), P-канал: від -1 до -3 В
- Максимальна розсіювана потужність: 2 Вт при температурі навколишнього середовища 25 °C
- Діапазон робочих температур: від -55 до +150 °C
- Корпус: SO-8
- Тип монтажу: SMD
- Розпіновка: пін 1 — витік P-каналу (S2); пін 2 — затвор P-каналу (G2); пін 3 — витік N-каналу (S1); пін 4 — затвор N-каналу (G1); піни 5, 6 — стік N-каналу (D1); піни 7, 8 — стік P-каналу (D2)
Функціонал
- Комутація навантажень
- Побудова мостових схем
- Керування електродвигунами
- Робота як перемикач у MOSFET-драйверах
- Керування від цифрових сигналів 3,3 В або 5 В
