Транзистор польовий 2N7002K (702K)

(N-Ch) 60V 300mA 300mW

Транзистор польовий 2N7002K (702K)
на складі 1005 шт.
в магазині 87 шт.
код: A118040
MDD
SOT-23

Транзистор польовий 2N7002K (702K)

(N-Ch) 60V 300mA 300mW


2.1 грн
код:

Швидка доставка

Відправка замовлень зроблених до 12:00 в той же день. Ми цінуємо ваш час.

Власний склад

Більш ніж 20000 назв товарів на власному складі, гарантує наявність та швидкість відправки вашого замовлення.

Способи оплати

💳 Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.

У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.

Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.


Додаткова інформація

Опис

2N7002K (маркування 702K або 702) — малопотужний N-канальний MOSFET-транзистор у корпусі SOT-23 для поверхневого монтажу, призначений для комутації невеликих навантажень і сигнальних ліній. Виконаний за технологією TrenchDMOS та має вбудований ESD-захист затвора до 2 кВ.

Технічні характеристики

  • Тип транзистора: MOSFET, TrenchDMOS
  • Тип каналу: N-канальний
  • Максимальна напруга стік-витік (VDS): 60 В
  • Максимальний постійний струм стоку (ID): 300 мА
  • Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 800 мА
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)): близько 2 Ом при VGS = 10 В
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)): близько 3 Ом при VGS = 4,5 В
  • Порогова напруга затвору (VGS(th)): 1–2,5 В
  • Максимальна розсіювана потужність: 350 мВт
  • ESD-захист затвора: до 2 кВ
  • Корпус: SOT-23 (TO-236AB)
  • Тип монтажу: SMD
  • Розпіновка: пін 1 — затвор (Gate, G); пін 2 — витік (Source, S); пін 3 — стік (Drain, D)

Функціонал

  • Комутація малопотужних навантажень
  • Перетворення логічних рівнів 3,3 В і 5 В
  • Робота як сигнальний та цифровий ключ
  • Керування реле, світлодіодами та невеликими електродвигунами
  • Керування затворами потужніших MOSFET-транзисторів