Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий FQPF8N60C
N-Ch 600V; 7.5A; 48W; 1.2 Ohm
Транзистор польовий FQPF8N60C
N-Ch 600V; 7.5A; 48W; 1.2 Ohm
20 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 81 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 16,5 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | TO-220F |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 30 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 600 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 7,5 Ампер |
| Бренд | Fairchild |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 48 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 1,2 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором, розрахований на високовольтну силову комутацію. Застосовується в SMPS, інверторах, PFC, UPS, перетворювачах і високовольтних ключових каскадах.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 600 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 7,5 А
- Максимальний імпульсний струм (IDM): ≈30 А
- Опір відкритого каналу RDS(on): max 1,2 Ом @10 В
- Порогова напруга VGS(th): до 4 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±30 В
- Потужність розсіювання (PD): 48 Вт
- Температура переходу / робочий діапазон: -55…+150 °C
- Повний заряд затвора (Qg): max ≈36 нКл
- Корпус: TO-220F
Функціонал
- SMPS
- інверторах
- PFC
- UPS
- перетворювачах
- високовольтних ключових каскадах
Розпіновка
Корпус TO-220F / FullPak, вид на маркування, виводи вниз: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S) Зовнішня задня поверхня електрично ізольована.
