Транзистор польовий IRLBD59N04E

N-ch; 40V; 59A; 130W; 0.018 Ohm c темп. датчик

на складі 22 шт.
в магазині 25 шт.
код: A118197
IR
D2-Pack-4

Транзистор польовий IRLBD59N04E

N-ch; 40V; 59A; 130W; 0.018 Ohm c темп. датчик


46.5 грн
код:

ПараметрЗначення
Час закриття транзистора td(off)33 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)7.8 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусD2-PAK-5
Максимальна робоча температура175 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs10 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds40 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1-2 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id59 Ампер
БрендIR
Розсіювана потужність (25°C) Pd130 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,018 Ом
Способи оплати

💳 Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.

У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.

Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.


Додаткова інформація

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.

Технічні характеристики

  • Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
  • Корпус: D2-Pack-4
  • Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
  • Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 40 В
  • Постійний струм стоку (ID), за карткою: 59 А
  • Потужність розсіювання (PD), за карткою: 130 Вт
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0.018 Ом
  • Особливості: Logic Level / керування зниженою напругою затвора (якщо це підтверджує datasheet конкретної ревізії); вбудований температурний датчик
  • VDS: 40 В
  • ID: 59 А (розрахунково; package limitation в datasheet нижча)
  • IDM: 230 А
  • RDS(on): max 18 мОм @10 В
  • VGS(th): 1…2 В
  • TJ: -55…+175 °C
  • Вбудований температурний датчик на двох окремих виводах T1/T2

Функціонал

  • Робота у DC-DC перетворювачах
  • Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
  • Керування силовими лініями у BMS
  • Комутація навантаження
  • Керування лініями живлення
  • Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус 5-lead D2PAK (SMD-220): 1. G — Gate 2. T1 — анод температурного датчика 3. D — Drain 4. T2 — катод температурного датчика 5. S — Source Велика теплова площадка пов'язана зі стоком Drain.