Транзистор польовий IRF7421 D1

N-ch; 30V; 5.8A; 2.5W; 0.035 Ohm; Vf=0.39V

Транзистор польовий IRF7421 D1
на складі 25 шт.
в магазині 28 шт.
код: A118211
IR
SO-8

Транзистор польовий IRF7421 D1

N-ch; 30V; 5.8A; 2.5W; 0.035 Ohm; Vf=0.39V


25 грн
код:

ПараметрЗначення
Час закриття транзистора td(off)20 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)6,7 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусSO-8
Максимальна робоча температура150 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds30 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id5,8 Ампер
БрендIR
Розсіювана потужність (25°C) Pd2 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,035 Ом
Способи оплати

💳 Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.

У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.

Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.


Додаткова інформація

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.

Технічні характеристики

  • Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
  • Корпус: SO-8
  • Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
  • Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 30 В
  • Постійний струм стоку (ID), за карткою: 5.8 А
  • Потужність розсіювання (PD), за карткою: 2.5 Вт
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0.035 Ом

Функціонал

  • Робота у DC-DC перетворювачах
  • Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
  • Керування силовими лініями у BMS
  • Комутація навантаження
  • Керування лініями живлення
  • Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус SO-8, одиночний силовий MOSFET. Типове розташування силових контактів: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D) Перед заміною або трасуванням PCB бажано звірити datasheet конкретної ревізії.