Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий FQD10N65SE
N-Ch 650V 10A 45W 900mΩ
на складі 15 шт.
в магазині 20 шт.
код: A118228
KTP
TO-252
KTP
TO-252
Транзистор польовий FQD10N65SE
N-Ch 650V 10A 45W 900mΩ
32.5 грн
код:
Швидка доставка
Відправка замовлень зроблених до 12:00 в той же день. Ми цінуємо ваш час.
Власний склад
Більш ніж 20000 назв товарів на власному складі, гарантує наявність та швидкість відправки вашого замовлення.
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: імпульсні джерела живлення (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
- Корпус: TO-252
- Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 650 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 10 А
- Потужність розсіювання (PD), за карткою: 45 Вт
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 900 мОм
Функціонал
- Робота в інверторах
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Робота у вузлах PFC
- Робота в електронних баластах
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус TO-252. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Велика металева/теплова площадка зазвичай електрично з'єднана з Drain (D).
