Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий AF4502C
(N P-Ch) N 30V; 10A; 0,011Ohm; P -30V; -8,5A; 0,016Ohm; 2,1W
на складі 4 шт.
в магазині 21 шт.
код: A118242
China
SO-8
China
SO-8
Транзистор польовий AF4502C
(N P-Ch) N 30V; 10A; 0,011Ohm; P -30V; -8,5A; 0,016Ohm; 2,1W
21 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | N70 P62 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | N20 P15 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | N20 P25 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | N30 P30 Вольт |
| Полярність | N та P-канал |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | N1-3 P1-3 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | N10 P8,5 Ампер |
| Бренд | AnaChip |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2,1 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | N0,02 P0,03 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
це комплементарна MOSFET-збірка (1× N-channel + 1× P-channel) у корпусі SO-8. Об'єднання двох ключів в одному корпусі зменшує розміри та паразитні індуктивності. Типове застосування: DC-DC перетворювачі, керування живленням, напівмости, захист акумуляторів, ключі навантаження та компактні імпульсні вузли.
Технічні характеристики
- Тип: комплементарна MOSFET-збірка (1× N-channel + 1× P-channel)
- Корпус: SO-8
- Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 30 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 10 А
- Потужність розсіювання (PD), за карткою: 2,1 Вт
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0,011 Ом
- Особливості: два MOSFET в одному корпусі
- VDS: +30 В (N) / -30 В (P)
- ID: +10 А (N) / -8,5 А (P) при TA=25 °C
- IDM: до 50 А імпульсно за datasheet
- PD: 2,1 Вт
- TJ: -55…+150 °C
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Захист акумуляторних ліній
- Комутація навантаження
- Керування лініями живлення
Розпіновка
Корпус SO-8, комплементарна збірка: 1. S1 (N-MOSFET) 2. G1 (N-MOSFET) 3.
