Транзистор польовий 2SJ162

P; 160V; 7A; 100W, пара 2sk1058

Транзистор польовий 2SJ162
на складі 1 шт.
в магазині 1 шт.
код: A118259
RENESAS
TO3P

Транзистор польовий 2SJ162

P; 160V; 7A; 100W, пара 2sk1058


463 грн
код:

ПараметрЗначення
Час закриття транзистора td(off)110 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)230 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусTO-3P
Максимальна робоча температура150 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs15 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds160 Вольт
ПолярністьP-Channel
Постійний струм стоку (25°C) Id7 Ампер
БрендRenesas
Розсіювана потужність (25°C) Pd100 Ватт
Способи оплати

💳 Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.

У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.

Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.


Додаткова інформація

Опис

це P-канальний силовий MOSFET для лінійних/аудіо застосувань. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.

Технічні характеристики

  • Тип: P-канальний силовий MOSFET для лінійних/аудіо застосувань
  • Корпус: TO3P
  • Монтаж: THT (вивідний монтаж)
  • Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 160 В
  • Постійний струм стоку (ID), за карткою: 7 А
  • Потужність розсіювання (PD), за карткою: 100 Вт
  • Тип: P-channel lateral MOSFET для аудіопідсилювачів
  • VDS: -160 В
  • ID: -7 А
  • PD: 100 Вт
  • Комплементарна пара: 2SK1058

Функціонал

  • Робота у DC-DC перетворювачах
  • Робота в інверторах
  • Робота в імпульсних джерелах живлення
  • Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
  • Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус TO-3P, вид на сторону з маркуванням, виводи вниз (Renesas): 1. Gate (G) 2. Source (S) — з ним також електрично пов'язаний фланець корпусу 3. Drain (D)